تسعى معظم شركات تصنيع الرقائق باستمرار إلى توسيع وإبراز وتحسين تصنيع الرقائق لتلبية الطلب المتزايد باستمرار. وتعمل كل من Samsung Electronics وTSMC وIntel حاليًا على تصنيع شرائح بدقة 2 نانومتر، والتي ستدخل حيز الإنتاج في العام المقبل. ووسط كل هذا، تلقت Samsung Foundry أول طلب مسرع 2 نانومتر للذكاء الاصطناعي مع HBM وخدمات التغليف المتقدمة.
وفي إعلان مصحوب بتقرير الربع الرابع من عام 2023، أشارت سامسونج إلى زيادة الطلب على الهواتف الذكية وأجهزة الكمبيوتر، وهو ما يعكس أيضًا اتجاه قطاع المسابك. ومن المتوقع أن يعود سوق مسبك الرقائق هذا العام إلى مستويات الطلب لعام 2022. ومع تزايد الطلب على الذكاء الاصطناعي والعمليات المعقدة الأخرى، يكثف صانعو الرقائق جهودهم لبدء تطوير شرائح 2 نانومتر.
تقوم شركة سامسونج، على وجه الخصوص، حاليًا بإنتاج شرائح GAA بحجم 3 نانومتر، في حين يتم التخطيط لعملية 2 نانومتر في العام المقبل. وتهدف العملية الجديدة إلى زيادة الأداء بنسبة 25% مقارنة بعملية 3nm GAP. ومع ذلك، فإنها ستعمل على تحسين كفاءة الطاقة بنسبة 12% وتقليل الحجم بأكثر من 5% مقارنة بـ 3GAP 3nm. يمكن أن تحصل سامسونج على دفعة تصنيع Snapdragon 8 Gen 4، والتي ستستخدم عملية GAP الخاصة بها بدقة 3 نانومتر.
يقود اللاعبون الرئيسيون مثل TSMC وIntel وSamsung الجهود لتلبية الطلب المتزايد على أحدث عمليات تصنيع أشباه الموصلات وأكثرها تقدمًا. تشير التقارير إلى أن شركة Apple من المقرر أن تصبح أول عميل لشركة TSMC لعملية 2nm. بالإضافة إلى ذلك، أعلنت إنتل أنها تلقت طلبات من إريكسون لعملية 18A، خاصة لرقائق البنية التحتية 5G.
وسط هذه المنافسة، تستعد سامسونج لجذب العملاء إلى عملية 2 نانومتر من خلال تقديم أسعار تنافسية. يقال إن شركة كوالكوم، وهي لاعب رئيسي في صناعة أشباه الموصلات، تخطط لنقل بعض أنظمتها الرائدة على الرقائق (SoCs) إلى SF2 من سامسونج، مما يشير إلى اهتمام الشركة بقدرات تصنيع 2 نانومتر من سامسونج. يعكس التحرك نحو عمليات أكثر تقدمًا سعي الصناعة المستمر لتحسين الأداء والكفاءة في تصنيع أشباه الموصلات.
